Infineon Technologies CY7C1413KV18-250BZCT

包装/外壳

FBGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

RoHS

N

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

1.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CY7C1413

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

1.9 V

Package Style

网格排列

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1413KV18-250BZCT

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Number of Words

2097152 words

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.81

包装

Reel

系列

CY7C1413KV18

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, QDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

36 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

470 mA

访问时间

450 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 18

输出特性

3-STATE

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.26 A

记忆密度

37748736 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

组织的记忆

2M x 18