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Infineon Technologies CY7C1414KV18-250BZCT

Name: CY7C1414KV18-250BZCT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-CY7C1414KV18-250BZCT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CY7C1414KV18-250BZCT

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-CY7C1414KV18-250BZCT

商品类别

存储器

封装

FBGA-165

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 36Mb 1.8V 250Mhz 1M x 36 QDR II SRAM

起订量

1最小包装量--

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CY7C1414KV18-250BZCT Infineon Technologies SRAM 36Mb 1.8V 250Mhz 1M x 36 QDR II SRAM

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CY7C1414KV18-250BZCT详情

技术参数

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Infineon Technologies CY7C1414KV18-250BZCT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

FBGA-165
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

165-FBGA (13x15)
RoHS

N
Maximum Clock Frequency

250 MHz
Interface Type

Parallel
Supply Voltage-Min

1.7 V
Minimum Operating Temperature

0 C
Maximum Operating Temperature

+ 70 C
Mounting Styles

SMD/SMT
Memory Types

Volatile
Moisture Sensitive

有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000
Package

Tape & Reel (TR)
Base Product Number

CY7C1414
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
Supply Voltage-Max

1.9 V
包装

Reel
系列

CY7C1414KV18
操作温度

0°C ~ 70°C (TA)
类型

Synchronous
技术

SRAM - Synchronous, QDR II
电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V
内存大小

36 Mbit
时钟频率

250 MHz
电源电流-最大值

730 mA
访问时间

450 ps
内存格式

SRAM
内存接口

Parallel
组织结构

1 M x 36
写入周期时间 - 字符、页面

-
组织的记忆

1M x 36

0个相似型号

CY7C1414KV18-250BZCT拓展信息

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