Infineon Technologies CY7C1440KV25-250BZXI
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CY7C1440KV25-250BZXI
1211-CY7C1440KV25-250BZXI
存储器
FBGA-165
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SRAM 36MB SRAM with ECC
1最小包装量--
CY7C1440KV25-250BZXI详情
Infineon Technologies CY7C1440KV25-250BZXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
终端数量
165
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.375 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
105
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1440
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
2.625 V
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
2.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY7C1440KV25-250BZXI
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.8
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
ECCN 代码
3A991.B.2.A
类型
Synchronous
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电
2.375V ~ 2.625V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
36 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
250 MHz
电源电流-最大值
240 mA
访问时间
2.6 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1 M x 36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
37748736 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.625 V
电压 - 供电 (最小值)
2.375 V
组织的记忆
1M x 36
宽度
15 mm
长度
17 mm
CY7C1440KV25-250BZXI拓展信息
Infineon Technologies
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