Infineon Technologies CY7C1480BV33-250BZXC

包装/外壳

FBGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FBGA (15x17)

终端数量

165

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

3.135 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

525

Maximum Clock Rate

250 MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

3.135 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

2 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1480

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

3 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1480BV33-250BZXC

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

2.1

Part Package Code

BGA

Usage Level

Commercial grade

包装

Tray

系列

CY7C1480BV33

操作温度

0 to 70 °C

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

72 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

500 mA

访问时间

3 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

建筑学

Pipelined

组织结构

2 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

21 Bit

密度

72 Mb

记忆密度

75497472 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3.135 V

组织的记忆

2M x 36

宽度

15 mm

长度

17 mm