CY7C1663KV18-550BZXC
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Infineon Technologies CY7C1663KV18-550BZXC

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型号

CY7C1663KV18-550BZXC

utmel 编号

1211-CY7C1663KV18-550BZXC

商品类别

存储器

封装

FBGA-165

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

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CY7C1663KV18-550BZXC
CY7C1663KV18-550BZXC Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

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CY7C1663KV18-550BZXC详情

Infineon Technologies CY7C1663KV18-550BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    FBGA-165

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    165-FBGA (15x17)

  • RoHS

    Details

  • Maximum Clock Frequency

    550 MHz

  • Interface Type

    Parallel

  • Supply Voltage-Min

    1.7 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 70 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Memory Types

    Volatile

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    210

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    CY7C1663

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Supply Voltage-Max

    1.9 V

  • 包装

    Tray

  • 系列

    CY7C1663KV18

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 类型

    Synchronous

  • 技术

    SRAM - Synchronous, QDR II+

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 内存大小

    144 Mbit

  • 时钟频率

    550 MHz

  • 电源电流-最大值

    1.09 A

  • 访问时间

    450 ps

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    8 M x 18

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 记忆密度

    144

  • 组织的记忆

    8M x 18

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CY7C1663KV18-550BZXC拓展信息

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