CY7C1665KV18-550BZXC
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Infineon Technologies CY7C1665KV18-550BZXC

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型号

CY7C1665KV18-550BZXC

utmel 编号

1211-CY7C1665KV18-550BZXC

商品类别

存储器

封装

165-LBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

起订量

1最小包装量--

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CY7C1665KV18-550BZXC
CY7C1665KV18-550BZXC Infineon Technologies IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

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CY7C1665KV18-550BZXC详情

Infineon Technologies CY7C1665KV18-550BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    165-LBGA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    165

  • 供应商器件包装

    165-FBGA (15x17)

  • 终端数量

    165

  • Product Status

    活跃

  • Package

    Tray

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Memory Types

    Volatile

  • Base Product Number

    CY7C1665

  • Moisture Sensitive

    有

  • Maximum Clock Frequency

    550 MHz

  • Maximum Operating Temperature

    + 70 C

  • Supply Voltage-Max

    1.9 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    525

  • Supply Voltage-Min

    1.7 V

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Interface Type

    Parallel

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    LBGA, BGA165,11X15,40

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • Number of Words Code

    4000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Access Time-Max

    0.45 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    CY7C1665KV18-550BZXC

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    550 MHz

  • Number of Words

    4194304 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    LBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    2.33

  • Part Package Code

    BGA

  • 系列

    -

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 类型

    Synchronous

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.5/1.8,1.8 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 内存大小

    144Mbit

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    550 MHz

  • 电源电流-最大值

    1.52 A

  • 访问时间

    450 ps

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    4 M x 36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    36

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 产品类别

    SRAM

  • 待机电流-最大值

    0.5 A

  • 记忆密度

    150994944 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 内存IC类型

    QDR SRAM

  • 待机电压-最小值

    1.7 V

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.9 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.7 V

  • 产品类别

    SRAM

  • 组织的记忆

    4M x 36

  • 宽度

    15 mm

  • 长度

    17 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY7C1665KV18-550BZXC.

CY7C1665KV18-550BZXC拓展信息

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