Infineon Technologies CY7C1911KV18-333BZC
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CY7C1911KV18-333BZC
1211-CY7C1911KV18-333BZC
存储器
FBGA-165
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SRAM 18MB (2Mx9) 1.8v 333MHz QDR II SRAM
1最小包装量--
CY7C1911KV18-333BZC详情
Infineon Technologies CY7C1911KV18-333BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
RoHS
N
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
680
Maximum Clock Rate
333 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
9 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Product Status
活跃
厂商
Infineon Technologies
Base Product Number
CY7C1911
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
系列
CY7C1911KV18
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
引脚数量
165
内存大小
18 Mbit
端口的数量
2
时钟频率
333 MHz
电源电流-最大值
520 mA
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
2 M x 9
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
19 Bit
密度
18 Mb
筛选水平
Commercial
组织的记忆
2M x 9
CY7C1911KV18-333BZC拓展信息
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