Infineon Technologies CY7C199D-10VXI
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CY7C199D-10VXI
1211-CY7C199D-10VXI
存储器
SOJ-28
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SRAM 256Kb 10ns 32K x 8 SRAM
1最小包装量--
CY7C199D-10VXI详情
Infineon Technologies CY7C199D-10VXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOJ-28
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
28-SOJ
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
4.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1350
Unit Weight
0.051571 oz
Supplier Package
SOJ
Typical Operating Supply Voltage
5.0000 V
Minimum Operating Supply Voltage
4.5 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
32 kWords
Number of I/O Lines
8 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Mounting
表面贴装
Package
Tube
Base Product Number
CY7C199
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Dimensions
18.03 x 7.62 x 0.254mm
Package Type
SOJ
Supply Voltage-Max
5.5 V
Usage Level
Industrial grade
包装
Tube
系列
CY7C199D
操作温度
-40 to 85 °C
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
引脚数量
28
内存大小
256 kbit
端口的数量
1
时钟频率
1MHz
电源电流-最大值
80 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
数据率
SDR
内存接口
Parallel
组织结构
32 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
15 Bit
密度
256 Kb
筛选水平
Industrial
组织的记忆
32K x 8
宽度
7.62mm
高度
0.254mm
长度
18.03mm
CY7C199D-10VXI拓展信息
Infineon Technologies
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