Infineon Technologies CY7C2263XV18-600BZXC
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CY7C2263XV18-600BZXC
1211-CY7C2263XV18-600BZXC
存储器
165-LBGA
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IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
1最小包装量--
CY7C2263XV18-600BZXC详情
Infineon Technologies CY7C2263XV18-600BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
165-LBGA
安装类型
表面贴装
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
厂商
Infineon Technologies
Memory Types
Volatile
Product Status
活跃
Package
Tray
Base Product Number
CY7C2263
Maximum Clock Rate
600 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
600 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
1.9 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
680
Supply Voltage-Min
1.7 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Usage Level
Commercial grade
系列
-
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
包装
Tray
类型
Synchronous
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
内存大小
36Mbit
端口的数量
2
时钟频率
600 MHz
电源电流-最大值
1.1 A
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
2 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
19 Bit
产品类别
SRAM
密度
36 Mb
记忆密度
36
筛选水平
Commercial
产品类别
SRAM
组织的记忆
2M x 18
CY7C2263XV18-600BZXC拓展信息
Infineon Technologies
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