Infineon Technologies CY7C2263XV18-633BZXC
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CY7C2263XV18-633BZXC
1211-CY7C2263XV18-633BZXC
存储器
FBGA-165
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SRAM 36MB (2Mx18) 1.8v 633MHz QDR II SRAM
1最小包装量--
CY7C2263XV18-633BZXC详情
Infineon Technologies CY7C2263XV18-633BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
680
Moisture Sensitive
有
Memory Types
Volatile
Mounting Styles
SMD/SMT
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
1.7 V
Interface Type
Parallel
Maximum Clock Frequency
633 MHz
RoHS
Details
Maximum Clock Rate
633 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY7C2263
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Commercial grade
系列
CY7C2263XV18
包装
Tray
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II+
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
内存大小
36 Mbit
端口的数量
2
时钟频率
633 MHz
电源电流-最大值
1.165 A
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
2 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
19 Bit
密度
36 Mb
记忆密度
36
筛选水平
Commercial
组织的记忆
2M x 18
CY7C2263XV18-633BZXC拓展信息
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