Infineon Technologies CY7C2562XV18-366BZXC
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CY7C2562XV18-366BZXC
1211-CY7C2562XV18-366BZXC
存储器
FBGA-165
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SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 366MHz QDR II SRAM
1最小包装量--
CY7C2562XV18-366BZXC详情
Infineon Technologies CY7C2562XV18-366BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
366 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
QDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
136
Maximum Clock Rate
366 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
4 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY7C2562
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
系列
CY7C2562XV18
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II+
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
引脚数量
165
内存大小
72 Mbit
端口的数量
2
时钟频率
366 MHz
电源电流-最大值
970 mA
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
4 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
21 Bit
密度
72 Mb
筛选水平
Commercial
组织的记忆
4M x 18
CY7C2562XV18-366BZXC拓展信息
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