Infineon Technologies CY7C2665KV18-550BZI
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CY7C2665KV18-550BZI
1211-CY7C2665KV18-550BZI
存储器
FBGA-165
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SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II SRAM
1最小包装量--
CY7C2665KV18-550BZI详情
Infineon Technologies CY7C2665KV18-550BZI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
RoHS
N
Maximum Clock Frequency
550 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
1.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
QDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
210
Unit Weight
0.022194 oz
Package
Tray
Base Product Number
CY7C2665
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
1.9 V
包装
Tray
系列
CY7C2665KV18
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II+
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
内存大小
144 Mbit
时钟频率
550 MHz
电源电流-最大值
1.52 A
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4 M x 36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
144
组织的记忆
4M x 36
CY7C2665KV18-550BZI拓展信息
Infineon Technologies
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