Infineon Technologies CY7C4142KV13-106FCXC

包装/外壳

FCBGA-361

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

361

供应商器件包装

361-FCBGA (21x21)

终端数量

361

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

1.066 GHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

1.26 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

QDR

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

300

Maximum Clock Rate

1066 MHz

Supplier Package

FCBGA

Data Rate Architecture

QDR

Typical Operating Supply Voltage

1.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

1.26 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

4 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

1.34 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY7C4142

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

1.34 V

Package Description

HBGA,

Package Style

GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C4142KV13-106FCXC

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.3 V

Package Code

HBGA

Package Shape

SQUARE

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.48

Usage Level

Commercial grade

包装

Tray

系列

CY7C4142KV13

操作温度

0 to 70 °C

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, QDR IV

电压 - 供电

1.26V ~ 1.34V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PBGA-B361

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

144 Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

1.066 GHz

电源电流-最大值

4.5 A

访问时间

75 ps

内存格式

SRAM

数据率

QDR-IV

内存接口

Parallel

组织结构

4 M x 36

座位高度-最大

2.765 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

地址总线宽度

21 Bit

密度

144 Mb

记忆密度

150994944 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

QDR SRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.34 V

电压 - 供电 （最小值）

1.26 V

组织的记忆

4M x 36

宽度

21 mm

长度

21 mm