Infineon Technologies CYDM256B16-55BVXI
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CYDM256B16-55BVXI
1211-CYDM256B16-55BVXI
存储器
BGA-100
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SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND
1最小包装量--
CYDM256B16-55BVXI详情
Infineon Technologies CYDM256B16-55BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
BGA-100
安装类型
表面贴装
引脚数
100
供应商器件包装
100-VFBGA (6x6)
Unit Weight
0.002572 oz
Tradename
MoBL
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
429
Moisture Sensitive
有
Memory Types
Volatile
Mounting Styles
SMD/SMT
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
1.7 V
Interface Type
Parallel
Maximum Clock Frequency
-
RoHS
Details
Mounting
表面贴装
Supplier Package
VFBGA
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
16 kWords
Number of I/O Lines
32 Bit
Package
Tray
Base Product Number
CYDM
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Industrial grade
系列
CYDM256B16
包装
Tray
操作温度
-40 to 85 °C
类型
SRAM - Dual Port, MoBL
技术
SRAM - Dual Port, MoBL
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
内存大小
256 kbit
端口的数量
2
电源电流-最大值
25 mA
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
数据率
SDR
内存接口
Parallel
组织结构
16 k x 16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
密度
256 Kb
筛选水平
Industrial
组织的记忆
16K x 16
CYDM256B16-55BVXI拓展信息
Infineon Technologies
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