Infineon Technologies DD1000S33HE3B60BOSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

AG-IHVB130-3

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Product Status

不用于新设计

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

1000A (DC)

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2

Part # Aliases

DD1000S33HE3_B60 SP001626484

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

系列

-

包装

Tray

子类别

IGBTs

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

1000 A @ 1800 V

功率耗散

1600

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

3.85 V @ 1000 A

工作温度 - 结点

-40°C ~ 150°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

3300 V

产品类别

IGBT模块

二极管配置

2 Independent

连续集电极电流

1

产品类别

IGBT模块