Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA1

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

已出版

2011

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X9

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant