Infineon Technologies DDB6U85N16LHOSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

6

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tray

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X6

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5mA @ 1600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.44V @ 100A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

100A

工作温度 - 结点

150°C Max

输出电流-最大值

104A

无卤素

不含卤素

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1600V

平均整流电流（Io）

60A

相位的数量

3

最大重复反向电压(Vrrm)

1.6kV

Rep Pk反向电压-最大值

1600V

二极管配置

3 Independent

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅