Infineon Technologies IDB09E60ATMA1

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

57.7W

Number of Elements

1

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

50μA @ 600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2V @ 9A

正向电流

19.3A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

19.3A DC

正向电压

2V

最大反向电压（DC）

600V

平均整流电流

19.3A

相位的数量

1

反向恢复时间

75 ns

峰值反向电流

50μA

最大重复反向电压(Vrrm)

600V

峰值非恢复性浪涌电流

40A

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

含铅