Infineon Technologies IDB12E120ATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

96W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 1200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2.15V @ 12A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

无卤素

无卤素

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

平均整流电流（Io）

28A DC

正向电压

2.15V

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

28A

相位的数量

1

反向恢复时间

150 ns

峰值非恢复性浪涌电流

63A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅