Infineon Technologies IDB15E60ATMA1

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83.3W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

50μA @ 600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2V @ 15A

正向电流

29.2A

工作温度 - 结点

-40°C~175°C

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

29.2A DC

正向电压

2V

相位的数量

1

反向恢复时间

87 ns

峰值反向电流

50μA

最大重复反向电压(Vrrm)

600V

峰值非恢复性浪涌电流

60A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅