Infineon Technologies IDB30E120ATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 1200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2.15V @ 30A

正向电流

50A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

无卤素

无卤素

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

平均整流电流（Io）

50A DC

正向电压

2.15V

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

50A

相位的数量

1

反向恢复时间

243 ns

峰值反向电流

100μA

最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV

峰值非恢复性浪涌电流

102A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅