Infineon Technologies IDH08G65C5XKSA2

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-220-2

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

2

Number of Elements

1

系列

CoolSiC™+

已出版

2013

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

PD-CASE

最大功率耗散

76W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

140μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 8A

箱体转运

CATHODE

正向电流

8A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

最大浪涌电流

68A

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

8A DC

正向电压

1.7V

相位的数量

1

反向恢复时间

0ns

峰值反向电流

140μA

最大重复反向电压(Vrrm)

650V

电容@Vr, F

250pF @ 1V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

68A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅