Infineon Technologies IDH16G65C5XKSA2

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

引脚数

2

制造商包装标识符

PG-TO220-2

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

CoolSiC™+

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

应用

EFFICIENCY

附加功能

PD-CASE

最大功率耗散

129W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

200μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 16A

箱体转运

CATHODE

正向电流

16A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

最大浪涌电流

124A

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

16A DC

正向电压

1.7V

相位的数量

1

反向恢复时间

0ns

峰值反向电流

200μA

最大重复反向电压(Vrrm)

650V

电容@Vr, F

470pF @ 1V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

124A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

124A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

19.65mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅