Infineon Technologies IDP08E65D1XKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

引脚数

2

质量

2.299997g

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tube

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

应用

超快恢复

附加功能

FREE WHEELING DIODE, PD-CASE

HTS代码

8541.10.00.80

最大功率耗散

56W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

40μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 8A

箱体转运

CATHODE

正向电流

8A

工作温度 - 结点

-40°C~175°C

最大浪涌电流

64A

输出电流-最大值

16A

无卤素

无卤素

正向电压

1.26V

最大反向电压（DC）

650V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

反向恢复时间

51 ns

峰值反向电流

2mA

最大重复反向电压(Vrrm)

650V

峰值非恢复性浪涌电流

64A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

64A

恢复时间

110 ns

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅