Infineon Technologies IDP09E120

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

69W

包装

Tube

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

引脚数量

3

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 1200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

2.15V @ 9A

正向电流

23A

最大反向漏电电流

100μA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

50A

无卤素

无卤素

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

1200V

平均整流电流（Io）

23A DC

最大反向电压（DC）

1.2kV

平均整流电流

23A

相位的数量

1

反向恢复时间

140 ns

峰值反向电流

100μA

最大重复反向电压(Vrrm)

1.2kV

峰值非恢复性浪涌电流

50A

恢复时间

140 ns

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准