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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.606712
10
¥10.006333
100
¥9.439936
500
¥8.9056
1000
¥8.401509
Infineon Technologies IDP30E120XKSA1
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- 对比
IDP30E120XKSA1
1211-IDP30E120XKSA1
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IDP30E120XKSA1详情
Infineon Technologies IDP30E120XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
138W
包装
Tube
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.80
引脚数量
3
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 1200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.15V @ 30A
正向电流
50A
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
输出电流-最大值
30A
无卤素
无卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200V
平均整流电流(Io)
50A DC
正向电压
2.15V
最大反向电压(DC)
1.2kV
平均整流电流
50A
相位的数量
1
反向恢复时间
243 ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1.2kV
峰值非恢复性浪涌电流
102A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IDP30E120XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies







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