Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1
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IGLD60R070D1AUMA1
1211-IGLD60R070D1AUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-LDFN Exposed Pad
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IC GAN FET 600V 60A 8SON
--最小包装量--
IGLD60R070D1AUMA1详情
Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-LDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Power Dissipation (Max)
114W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolGaN™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 2.6mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380pF @ 400V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
-10V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IGLD60R070D1AUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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