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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.180523
10
¥24.698604
100
¥23.300573
500
¥21.981668
1000
¥20.737424
Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA3
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IGLD60R190D1AUMA3
1211-IGLD60R190D1AUMA3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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MOSFET GAN HV
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¥
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IGLD60R190D1AUMA3详情
Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 10 V
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Part # Aliases
IGLD60R190D1 SP005557217
Number of Elements per Chip
1
Package Type
LSON-8
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
10A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V, 10 V
包装
切割胶带
系列
CoolGaN
技术
GaN
引脚数量
8
信道型
N
IGLD60R190D1AUMA3拓展信息
Infineon Technologies
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