Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1
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IGT40R070D1E8220ATMA1
1211-IGT40R070D1E8220ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
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GAN HV
1最小包装量--
IGT40R070D1E8220ATMA1详情
Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31A Tc
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
操作温度
0°C~150°C TJ
系列
CoolGaN™
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
382pF @ 320V
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±10V
IGT40R070D1E8220ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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