Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA4
- 收藏
- 对比
IGT60R070D1ATMA4
1211-IGT60R070D1ATMA4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
大陆
立即发货

GANFET N-CH
1最小包装量--
IGT60R070D1ATMA4详情
Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
供应商器件包装
PG-HSOF-8-3
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Part # Aliases
IGT60R070D1 SP005557216
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
MOSFETs
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
-
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380 pF @ 400 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
-10V
产品类别
MOSFET
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
IGT60R070D1ATMA4拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。