Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1
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IGT60R190D1SATMA1
1211-IGT60R190D1SATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
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IGT60R190D1S: 600 V 12.5A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor-PG-HSOF-8-3
--最小包装量--
IGT60R190D1SATMA1详情
Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
Power Dissipation (Max)
55.5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.6V @ 960μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12.5A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolGaN™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
157pF @ 400V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
-10V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IGT60R190D1SATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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