注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥38.032412
10

￥35.879634
100

￥33.848711
500

￥31.932747
1000

￥30.125232

Infineon Technologies IMBG65R260M1HXTMA1

Name: IMBG65R260M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IMBG65R260M1HXTMA1
Price: 38.03 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IMBG65R260M1HXTMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IMBG65R260M1HXTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

单价: $

合计: ￥

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IMBG65R260M1HXTMA1详情

技术参数

Infineon Technologies IMBG65R260M1HXTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
引脚数

7
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
Number of Elements per Chip

1
Package Type

TO-263-7
MSL

-
Continuous Drain Current Id

6A
Id - Continuous Drain Current

6 A
Rds On - Drain-Source Resistance

346 mOhms
Qg - Gate Charge

22 nC
Channel Mode

Enhancement
Mounting Styles

SMD/SMT
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 5 V, + 23 V
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Transistor Polarity

N-Channel
Pd - Power Dissipation

65 W
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5.7 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V
系列

*
技术

SiC
通道数量

1 Channel
功率耗散

65W
信道型

N

0个相似型号

IMBG65R260M1HXTMA1拓展信息

热销零件