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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥64.523073
10
¥60.870824
100
¥57.425305
500
¥54.174816
1000
¥51.108317
Infineon Technologies IPA60R170CFD7XKSA1
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- 对比
IPA60R170CFD7XKSA1
1211-IPA60R170CFD7XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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CoolMOS CFD7 Power Transistor High Power 170m? 26W 600V PG-TO 220 FullPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA60R170CFD7XKSA1详情
Infineon Technologies IPA60R170CFD7XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
26W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ CFD7
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 300μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1199pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.17Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
51A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPA60R170CFD7XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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