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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.471381
10
¥4.218285
100
¥3.979513
500
¥3.754258
1000
¥3.541753
Infineon Technologies IPA60R280P7SXKSA1
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- 对比
IPA60R280P7SXKSA1
1211-IPA60R280P7SXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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Single N-Channel 600 V 280 mOhm 18 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-220-3FP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPA60R280P7SXKSA1详情
Infineon Technologies IPA60R280P7SXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
24W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 190μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P7
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
280m Ω @ 3.8A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
761pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.28Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
38 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPA60R280P7SXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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