Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1
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IPAN60R800CEXKSA1
1211-IPAN60R800CEXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP Tube
1最小包装量--
IPAN60R800CEXKSA1详情
Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
27W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 170μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
373pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
8.4A
场效应管特性
超级交界处
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPAN60R800CEXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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