Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

28W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 210μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 2.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.1A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

ROHS3 Compliant