Infineon Technologies IPB033N10N5LFATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

179W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.1V @ 150μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™-5

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

179W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

102nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120A

阈值电压

3.3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23A

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

273 mJ

高度

4.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant