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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.061801
10
¥9.492263
100
¥8.954965
500
¥8.448082
1000
¥7.969888
Infineon Technologies IPB03N03LB G
- 收藏
- 对比
IPB03N03LB G
1211-IPB03N03LB G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
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MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB03N03LB G详情
Infineon Technologies IPB03N03LB G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
150W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.8m Ω @ 55A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7624pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
IPB03N03LB G拓展信息
Infineon Technologies
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