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价格梯度

内地含税价

1

￥17.002694
10

￥16.040278
100

￥15.132338
500

￥14.275788
1000

￥13.467729

Infineon Technologies IPB050N10NF2SATMA1

Name: IPB050N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB050N10NF2SATMA1
Price: 17 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB050N10NF2SATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB050N10NF2SATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

PG-TO263-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRENCH >=100V

起订量

--最小包装量--

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IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies TRENCH >=100V

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IPB050N10NF2SATMA1详情

技术参数

Infineon Technologies IPB050N10NF2SATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-TO263-3
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

800
Manufacturer

Infineon
Brand

Infineon Technologies
RoHS

Details
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.2 V
Pd - Power Dissipation

150 W
Transistor Polarity

N-Channel
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Mounting Styles

SMD/SMT
Channel Mode

Enhancement
Qg - Gate Charge

51 nC
Rds On - Drain-Source Resistance

5.05 mOhms
Id - Continuous Drain Current

103 A
系列

*
包装

切割胶带
通道数量

1 Channel
产品类别

Infineon

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IPB050N10NF2SATMA1拓展信息

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