Infineon Technologies IPB085N06L G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 125μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

104nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏极-源极导通最大电阻

0.0082Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

最大耗散功率(Abs)

188W

RoHS状态

符合RoHS标准