Infineon Technologies IPB09N03LAT
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IPB09N03LAT
1211-IPB09N03LAT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
1最小包装量--
IPB09N03LAT详情
Infineon Technologies IPB09N03LAT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
63W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
25V
额定电流
50A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1642pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 5V
上升时间
88ns
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
输入电容
1.642nF
最大rds
8.9 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IPB09N03LAT拓展信息
Infineon Technologies
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