Infineon Technologies IPB100N10S305ATMA2
- 收藏
- 对比
IPB100N10S305ATMA2
1211-IPB100N10S305ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET_(75V 120V(
1最小包装量--
IPB100N10S305ATMA2详情
Infineon Technologies IPB100N10S305ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Qualification
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A (Tc)
厂商
Infineon Technologies
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11570 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
176 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
职系
汽车
IPB100N10S305ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。