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1

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10

￥4.972276
100

￥4.690826
500

￥4.425305
1000

￥4.174817

Infineon Technologies IPB13N03LB G

Name: IPB13N03LB G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB13N03LB G
Price: 5.27 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB13N03LB G

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB13N03LB G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

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IPB13N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

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IPB13N03LB G详情

技术参数

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Infineon Technologies IPB13N03LB G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型

表面贴装
Power Dissipation (Max)

52W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc
已出版

2006
系列

OptiMOS™
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55°C~175°C TJ
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

12.5m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 20μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1355pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)

30V
Vgs（最大值）

±20V

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IPB13N03LB G拓展信息

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