Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

已出版

2006

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7m Ω @ 80A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

160A

漏极-源极导通最大电阻

0.0037Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant