Infineon Technologies IPB180N04S4H0ATMA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 180μA

Power Dissipation (Max)

250W Tc

已出版

2010

系列

OptiMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17940pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

180A

漏极-源极导通最大电阻

0.0011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

720A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant