Infineon Technologies IPB26CNE8N G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

71W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 39μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2070pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

85V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140A

DS 击穿电压-最小值

85V

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant