Infineon Technologies IPB47N10S33ATMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

175W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

105nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47A

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant