Infineon Technologies IPB50N12S3L15ATMA1

工厂交货时间

14 Weeks

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min.)

-55°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.0206Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

120V

雪崩能量等级（Eas）

330 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant