Infineon Technologies IPB60R040C7ATMA1
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IPB60R040C7ATMA1
1211-IPB60R040C7ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
--最小包装量--
IPB60R040C7ATMA1详情
Infineon Technologies IPB60R040C7ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
供应商器件包装
PG-TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
227W Tc
Turn Off Delay Time
81 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ C7
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
227W
接通延迟时间
18.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
40mOhm @ 24.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.24mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4340pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
107nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
34mOhm
高度
4.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPB60R040C7ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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