Infineon Technologies IPB60R060C7ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

162W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ C7

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 15.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 800μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2850pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

135A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

159 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant